Aufgrund der Größe und Komplexität von mikroelektronischen Komponenten kann ihre Präparation für die金相学分析eine Herausforderung darstellen。在diesel Anleitung信德die speziellen Techniken und Geräte beschrieben, die zur Gewährleistung eines effektiven und genauen kontrollierten Materialabtrags bei mikroelektronischen Proben mit reduzieraren Ergebnissen erforderlich信德。
Hier finden Sie die vollständige应用说明
Abb 1: Einzelheit einer linearen IC mit Leiterbahnen, Widerständen, Vias und Kondensatoren in der Mitte
Abb. 2: Querschliff eines硅晶圆mit Leiterbahnen einer IC
第三名神甫:“我爱你，我爱你
Aufgrund der Größe und Komplexität von mikroelektronischen Komponenten kann ihre Präparation für die金相学分析eine Herausforderung darstellen。Deswegen sind spezielle Techniken und Geräte erforderlich，嗯die erforderlich Präzision während des kontrollierten Materialabtrags sicherzustellen
Abb 4: Beispiele für die Werkstoffzusammensetzung mikroelektronischer Komponenten
Abb 5: Mehrschicht-Kondensator (1)， gelötet auf eine Kupfermetallisierung der gedruckten Schaltung (2);Ermüdungsbruch (3)， der durch das gesamte Lot verläuft
Abb. 6a & b: Keramik mit Kupfer mit hoher Vergrößerung, die die unterschiedliche Planheit zeigt: a) Erstes Feinschleifen mit SiC-Folie/纸;b)一见钟情，一见钟情MD-LargoFeinschleifscheibe
ausmaterialographischer Sicht umfast die Mikroelektronik drei Probentypen:
Silizium -晶片
在硅晶圆片的形式中，我们可以看到它的材料，Gefüge和化学的Zusammensetzung。ausdiesem Grund ist die materialgraphische分析von硅- wafern sowohl während der Entwicklungsphase einer elektronischen Komponente als auch für die Qualitätskontrolle von Bedeutung。
Dünne Scheiben des zylindrischen硅-锭werden mittels控制技术材料试验材料试验für die Analyse durch in der Regel die IR-Mikroskopie and die FTIR-Spektroskopie präpariert。Nach präzisem materialographischem Polieren werden die平行顺序Querschliffe des硅晶片in der nicht verkapselten Form geprüft。关于积分的Schaltkreise werden je nach Größe和艺术分析下的einem光照下的eletronenmikroskop untersucht。
IC-Bausteine和Bauteile
模具，焊接，焊接，焊接，焊接，焊接，焊接，焊接，焊接，焊接。材料设计，设计，生产技术和材料分析。德国，德国，德国，Lötperlen, leitfähigen和德国，德国，德国。
德国金相协会häufig包装行业。diesel Ziel kann nur mittels kontrollierten materialtrags identiiert and erreicht werden。Diskrete Bauteile, wie Kondensatoren, Widerstände usw。，werden ebenfalls materialographisch untersucht, um die Defekte der Geometrie und des Gefüges zu erkennen.
LeiterplattenLeiterplatten, auch gedruckte Schaltungen genannt, bestehen auseinem Trägermaterial ausglasfaserverstärktem Epoxid oder Keramik, darauf aufgebrachten Kupferschichten sowie durchkontaktierten Löchern, die (auch als“Vias”bezeichnet werden)。
Die Probenpräparation für Leiterplatten dient dazu, defkte im Substratmaterial zu finden。Alle maßgeblichen工业标准和诺曼verlangen eine材料信息Prüfung der Qualität von Lötverbindungen auf einer Leiterplatte。Zu diesem Zweck win Testcoupon entnommen und präpariert, sodass die Bohrungsmitte des via as unter einem Mikroskop untersucht werden kann。埃因·维特尔Prüfung基尔施里芬镇的黄金镇Kohärenz和贝希赫特通根镇的迪克·冯·贝希赫特通根镇geprüft维尔登。
神甫7:埃纳二极管的Erkennung eines Risses
Abb 8: Querschliff durch einen alten Mehrschicht-Keramikkondensator mit Ermüdungsrissen der Lötverbindung
Abb. 9: Großer Hohlraum in einer Lötverbindung auf einer Leiterplatte(50倍)
10号神甫:《河中之河与河》Lötverbindung《河中之河》(200倍)
11号神甫:Querschliff von Lotperlen, DIC
Abhängig von der Größe der mikroelektronischen Komponenten and under Anzahl der zu präparierenden Proben kann eine von drei Methoden zum Schleifen and Polieren verwendet werden: manuell, halbautomatich oder automatich。
在那片大地上，在那片大地上，在那片大地上，在那片大地上，在那片大地上，在那片大地上，在那片大地上，在那片大地上，在那片大地上。
Abb. 12: Riss und Bruch einer Glasdiode durch Grobschleifen mit SiC-Folie/Papier
1.Schritt:
在地球上航行，在地球上航行，在地球上MD-Largo)， nicht durch Schleifen mitSiliziumkarbidfolie /纸．
2.Schritt:
嗯，在地球上的生命，在世界上的生命和生命中。信德·施莱夫·帕特尔与金属的联系eingedrückt，与钻石的联系，与上帝的联系。
3.Schritt:
硅酸二氧酯(OP-U NonDry) für kurze Zeit um Relief zu vermeiden。
第十三神甫:那是一种安慰，那是一种安慰Härte那是一种安慰
第十四神甫:钻石
贝姆halbautomatischen kontrollierten Materialabtrag sice - folie / paperier verwendet。我们的恩爱之死AccuStop奥得河AccuStop-T， für sowohl eingebettete als auch niht eingebettete mikroelektronische Komponenten。Wenn mehere Proben auf etwa 50 μ m vor dem Ziel abgeschliffen sind, werden die Proben ausAccuStopentnommen und zum feinschlefen und Polieren jeder einzelnen Probe in ein halbautomatisches Gerät eingesetzt。
表1:Präparationsmethode für mikroelektronische Komponenten, eingebettet, Durchmesser 30 mm
Für den vollautomatischen kontrollierten materialtrag empfehlen wiir in automatisches Gerät, wieTargetSystem．Der gesamte Präparationsprozess dauert, einschließlich Trennen, 45-60分钟。
TargetSystem führt vor der Präparation ein Ausrichten und Messen der Probe durch, an das sich das Schleifen und Polieren anschließt。Im Falle von sichtbaren Zielen erfolgt dies mithilife eines Videosystems, bei nicht sichtbaren Zielen mit einem Röntgengerät。Das Gerät ermöglicht einen kontrollierten Materialabtrag mit Quer und Parallelschliffen eingebetteter and niht eingebettete proen mit einer Genauigkeit von±5 μm。
Abb 15:目标- z视频zum定位和Messen sichtbararer Ziele
Abb 16: Röntgenaufnahme einer Probe mit nicht sichtbaren Zielen
神甫17:在视频中探测mit sichtbarem Ziel
第18名:Halter mit Probe and Angabe der Abstände, die automatisch gemessen and berechnet werden
表2:Präparationsverfahren für die Zielpräparation mikroelektronischer Komponenten
Alle Abbildungen von Kelsey Torboli, Anwendungsspezialistin，美国
详细信息über die metallographische Präparation von mikroelektronischen Komponentenerhalten Sie von unseren anwendungsspeziisten．
